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【2h】

Effect of pressure on the magnetic, transport, and thermal-transport properties of the electron-doped manganite CaMn_{1-x}Sb_{x}O_{3}

机译：压力对掺杂电子的锰矿CaMn_ {1-x} Sb_ {x} O_ {3}的磁性，输运和热输运性质的影响

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摘要

We have demonstrated the effect of hydrostatic pressure on magnetic and transport properties, and thermal-transport properties in the electron-doped manganite CaMn1-xSbxO3. The substitution of Sb5+ ion for Mn 4+ site of the parent matrix causes one-electron doping with the chemical formula CaMn1-2x4+Mnx3+Sbx5+O3 accompanied by a monotonous increase in unit-cell volume as a function of x. Upon increasing the doping level of Sb, the magnitudes of both electrical resistivity and negative Seebeck coefficient are suppressed at high temperatures, indicating the electron doping. Anomalous diamagnetic behaviors at x=0.05 and 0.08 are clearly observed in the field cooled dc magnetization. The effect of hydrostatic pressure on dc magnetization is in contrast to the chemical pressure effect due to Sb doping. The dynamical effect of ac magnetic susceptibility measurement points to the formation of the magnetically frustrated clusters such as FM clusters embedded in canted AFM matrix.
机译：我们已经证明了静水压对电子掺杂锰矿CaMn1-xSbxO3中的磁和输运性质以及热输运性质的影响。用Sb5 +离子替代母体基质的Mn 4+位点会引起单电子掺杂，化学式为CaMn1-2x4 + Mnx3 + Sbx5 + O3，并伴随着单晶胞体积随x的单调增加。当增加Sb的掺杂水平时，在高温下电阻率和塞贝克系数的负值均被抑制，表明电子掺杂。在磁场冷却的直流磁化强度中，可以清楚地看到x = 0.05和0.08处的反磁行为。静水压力对直流磁化的影响与Sb掺杂引起的化学压力影响相反。交流磁化率测量的动态效果表明，磁化受阻簇的形成，例如嵌入在倾斜AFM矩阵中的FM簇。

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